Кт 815 транзистор параметры цоколевка

Кт 815 транзистор параметры цоколевка

КТ815 – биполярные транзисторы n-p-n большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ815

  • Прототип КТ815 Б — BD135
  • Прототип КТ815 В — BD137
  • Прототип КТ815 Г — BD139

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса — 100 °C
  • Комплиментарная пара – КТ814

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ815 (корпус КТ-27)

Характеристики транзистора КТ815

Предельные параметры КТ815

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ815А, Б, В, Г — 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ815А, Б, В, Г — 3 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ815А — 25 В
  • КТ815Б — 40 В
  • КТ815В — 60 В
  • КТ815Г — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ815А, Б, В, Г — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ815А, Б, В, Г — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ815А, Б, В, Г — 125° C

Значения параметров КТ815 при Тперехода=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 2 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 0,15 А:

  • КТ815А, Б, В — 40
  • КТ815Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ815А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ815А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ815А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ815А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ815А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ815А, Б, В, Г — 10° С/Вт

— дополнительная информация.

Источник: www.sdelai-sam.su

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Транзистор КТ815

Параметры транзистора КТ815

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
КТ815А BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815Б BD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815Г BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структура n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P * K, τ max,P ** K, и max КТ815А 10* Вт
КТ815Б 10*
КТ815В 10*
КТ815Г 10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max КТ815А ≥3 МГц
КТ815Б ≥3
КТ815В ≥3
КТ815Г ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб. КТ815А 0.1к 40* В
КТ815Б 0.1к 50*
КТ815В 0.1к 70*
КТ815Г 0.1к 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ815А 5 В
КТ815Б 5
КТ815В 5
КТ815Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I * К , и max КТ815А 1.5(3*) А
КТ815Б 1.5(3*)
КТ815В 1.5(3*)
КТ815Г 1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I * КЭR, I ** КЭO КТ815А 40 В ≤0.05 мА
КТ815Б 40 В ≤0.05
КТ815В 40 В ≤0.05
КТ815Г 40 В ≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h * 21Э КТ815А 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815Б 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815В 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815Г 2 В; 0.15 А ≥30*
Емкость коллекторного перехода cк, с * 12э КТ815А 5 В ≤60 пФ
КТ815Б 5 В ≤60
КТ815В 5 В ≤60
КТ815Г 5 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р. КТ815А ≤1.2 Ом, дБ
КТ815Б ≤1.2
КТ815В ≤1.2
КТ815Г ≤1.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r * b, P ** вых КТ815А Дб, Ом, Вт
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) КТ815А пс
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
Читать еще:  Lm358p описание на русском принцип работы

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Источник: rudatasheet.ru

Транзистор КТ815А

КТ815А
Транзисторы КТ815А кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).
Технические условия: аА0.336.185 ТУ/02.

Основные технические характеристики транзистора КТ815А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Источник: eandc.ru

КТ815 параметры

Биполярный транзистор КТ815 часто использовался в советской бытовой технике выпуска 80-х годов прошлого века. Он был предназначен для работы как в ключевых так и в линейных схемах.
У транзистора КТ815 параметры читаются уже в названии:

  • К – кремниевый;
  • Т – транзистор;
  • 8 – мощный, среднечастотный;
  • 15 – номер разработки;
  • А, Б, В, Г – буква определяющая максимальное обратное напряжение.

КТ815 является транзистором с n-p-n структурой. Существует комплементарный транзистор с p-n-p структурой – КТ814, на КТ815 и КТ814 часто строились схемы комплементарного эмиттерного повторителя.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры Обозначение Значение
Напряжение эмиттер — база Uэб max 5 В
Постоянный ток коллектора Iк max 1,5 А
Импульсный ток коллектора Iк max 3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max 0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max 10 Вт
Температура перехода Tпер 150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С

Паpаметpы Обозначение Режимы измеpения Min Maх Ед.измеp
Обратный ток коллектора Iкбо Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г) 50 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г) 100 мкА
Статический коэффициент передачи тока h21э Uкб=2 В, Iэ=0,15 А 40,30(Г) 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас Iк=0,5 А, Iб=50 мА 0,6 В
Читать еще:  Классификация инструментов по назначению

Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)

  • КТ815А, КТ815А9 — 40 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 70 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В

Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)

  • КТ815А, КТ815А9 — 30 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 65 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В

Маркировка транзисторов КТ815

Первоначально на транзисторы наносилась полная маркировка типа (например КТ815Г), месяц и год выпуска. В дальнейшем оставили только цифру и буквы, например для КТ815Г — 5Г.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше. Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц.
p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик.
Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

Зарубежные транзисторы тоже разные бывают. Заказывал у китайцев на Алиэкспресс BD139 и BD140, фактически аналоги КТ814 и КТ815. Замучился в пары подбирать по h21э. Чтобы можно было говорить о высокой повторяемости параметров, нужно покупать у западных поставщиков. Но я посмотрел розничные цены на BD139 и BD140 на Mouser Eletronics и мне с них поплохело. За рубежом точно так же для бытовухи транзисторы делаются в Китае, для военных и промышленных нужд в Европе и США. Первые как бог на душу положит, вторые строго по технологии и с тщательным выходным контролем. И в бытовую электронику вторые не попадут никогда, потому как нерентабельно.

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56.
И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Читать еще:  Домкраты механические винтовые автомобильные

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Не нашел значения тепловых сопротивлений кристалл — корпус и корпус — охладитель для КТ815, вот для КТ644 (тоже биполярный и в том же корпусе КТ-27): тепловое сопротивление p-n переход – корпус RТп-к = 10°C/Вт, у полевых КП743 в том же корпусе RТп-к = 3,75°C/Вт. Плюс нужно учитывать тепловое сопротивление корпус — охладитель.
Допустим что суммарное тепловое сопротивление кристалл — охладитель 10°C/Вт. Тогда если транзистор будет рассеивать хотя бы 5Вт (а КТ815 может рассеивать до 10Вт), то при температуре охладителя 100°C, температура перехода будет уже 150 °C и кристалл транзистора выйдет из строя.

С этим температурным сопротивлением переход — корпус и корпус очень тонкий момент, вроде транзистор и может рассеивать большую мощность, но пока его не охлаждаешь жидким азотом, то и не может.

Кстати часто такие ошибки в курсовых проектах и даже дипломах встречаются, преподаватели обычно не вникают во всё, а вот на защите может и попасться на глаза.

А ведь действительно подмечено… 35 лет учись, а дураком помрешь! Спасибо, admin подсказал-уточнил. Специально начал ворошить паспорта старых документов и тю-тю такого параметра. Но, в принципе, интересно только теоретически. Практически не встречал охладителей до температуры кипения. Да и не процессоры они, чтоб им водяное охлаждение ставить… там уже тоже отказались от такой идеи.
А шли 515 как стандартные среднемощные, на пару-тройку ватт. Без нечего или маленькой пластинкой радиатора — 2X3 максимум.

У многих транзисторов есть как при постоянной и так при импульсной работе предельные параметры. Как мощность или ток коллекторы. Объясните при какой частоте или скважности, можно понять что наступил импульсный режим, Если переходный какой то интервал этих параметров. т.е. предельные параметры выше чем при постоянной работе но ниже чем в импульсном режиме.

Транзистор КТ 815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы. Параметры КТ 815 транзистора.

Источник: hardelectronics.ru

Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Транзистор КТ815 – биполярный, кремневый эпитаксиально-планарный, имеющий структуру n-p-n. Данный транзистор применяется в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователей. Транзистор КТ815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы.

Параметры КТ815 транзистора

Наимен. Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ815А 40 30 1500(3000) 1(10) 40-275 ≤50 ≥3 Габаритные и установочные размеры транзистора КТ815

При монтаже допускается сгибать выводы не ближе 5 миллиметров от самого корпуса транзистора и желательно с радиусом закругления не менее 2 мм. Так же необходимо исключить передачу усилия при сгибании выводов на корпус транзистора.

Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более 250 гр. при погружении выводов в припой на период не более 2 сек.

Цоколевка КТ815 транзистора

Ниже представлена цоколевка транзистора КТ815 в корпусе КТ-27 (ТО-126)

Маркировка транзистора КТ815

Согласно маркировки: цифра 5 указывает на тип транзистора (КТ815), буква А – группа, U2 – дата выпуска.

Аналоги транзистора КТ815

Транзистор Кт815 возможно заменить на отечественный аналог: КТ8272, КТ961, либо на его зарубежный аналог: BD135, BD137, BD139, TIP29A

Источник: elekt.tech

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector